三星電子宣布，在其晶圓代工產(chǎn)品組合中將增加11nm的FinFET工藝。11nm LPP或者11LPP是從上一代14nm工藝進一步發(fā)展而來，它能提供15%的性能提升，減少10%面積，但功耗卻保持不變。

三星表示，已經(jīng)完成了“未來三年跨越14nm至11nm，10nm，8nm和7nm的綜合處理路線圖”。其中11nm工藝計劃于2018年上半年準備投產(chǎn)。

三星還證實，采用EUV（極紫外）光刻技術(shù)的7LPP的開發(fā)工作正在按期進行，目標是在2018年下半年初期生產(chǎn)。

自2014年以來，三星已經(jīng)使用EUV光刻技術(shù)處理了近20萬張晶圓，并且根據(jù)其經(jīng)驗，最近在過程開發(fā)中看到了明顯的成果，例如256Mb SRAM實現(xiàn)了80％的產(chǎn)量